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Figure 1.(a) Pi-GOS 的熱塑性成型過程，從平面薄膜到從宏觀到納米尺度的不同壓紋結(jié)構(gòu)。(b)熱塑性機(jī)制示意圖，包括 GO 片材的滑動(dòng)和聚合物鏈在壓力和加熱下的活化。
Figure 2. (a)層間距和 FWHM 與 PVA 和 GO 之間重量比的關(guān)系圖。插圖顯示了 1.12 nm ( mPVA / mGO = 0.4) 和 2.23 nm ( mPVA / mGO = 2) 之間的比較。(b)不同層間距的 Pi-GOS 的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度測量。(c)隨著層間距的增加，儲(chǔ)能模量與溫度的關(guān)系曲線。插圖是在 25°C（藍(lán)色）和 95°C（紅色）下形成結(jié)構(gòu)與d的變形能力。(d)95 °C (E 95 ) 和 25 °C (E25 ) 與 Pi-GOS 的層間距。
Figure 3. (a) Pi-GOS ( d = 3.1 nm) 在 25℃（藍(lán)色）和 95℃（紅色）下的典型應(yīng)力-應(yīng)變曲線。(b)在25℃（頂部）和95℃（底部）拉伸斷裂后Pi-GOS（ d = 3.1 nm）的橫截面形態(tài)的SEM圖像。(c)在 25 ℃（藍(lán)色）和 95 ℃（紅色）下具有不同d間距的 Pi-GOS 的楊氏模量和伸長率。(d) Pi-GOS在T g以下的脆性拉伸斷裂和T g以上的塑性拉伸斷裂示意圖。
Figure 4. (a)Pi-GOS的熱塑性成型過程，從平板紙到具有正曲率的立體結(jié)構(gòu)。(b)相同厚度（32μm）的 Pi-GOS 模壓球殼和(c)圓柱殼壓痕試驗(yàn)的有限元分析結(jié)果。(d0球殼（藍(lán)色方形點(diǎn)）和圓柱殼（紅色方形點(diǎn)）的力-位移曲線。實(shí)線對(duì)應(yīng)擬合結(jié)果。
Figure 5. (a)表示從平面到微圖案階段的多壓印工藝。比例尺，50μm。(b)通過微壓印在Pi-GOS上的表面圖案：由三角形形成的簡單六邊形（左），ZJU標(biāo)志的浮雕（右）。比例尺，50μm（左），2 mm（右）。(c)高徑比與壓力和時(shí)間的關(guān)系曲線。虛線對(duì)應(yīng)擬合結(jié)果，點(diǎn)代表實(shí)驗(yàn)結(jié)果（誤差線基于平均值的標(biāo)準(zhǔn)誤差）。
Figure 6. (a)具有通孔AAO模板的熱納米壓印工藝示意圖。(b)SEM 觀察，(c)結(jié)構(gòu)表示和(d)納米棒外部和內(nèi)部制造的 TEM 圖像。(e) AAO 模板（上）、印跡 Pi-rGOS 納米柱（中）和熱還原 GLS 納米柱（下）的 SEM 圖像。(f)Pi-rGOS 和 GLS 的拉曼光譜。插圖是通過考慮 D 和 G 帶的強(qiáng)度比對(duì) Pi-rGOS（上）和 GLS（下）的拉曼映射分析。
Figure 7. (a) Janus 印跡 Pi-rGOS 的示意圖，每側(cè)具有不同的靜態(tài)接觸角（頂部）和 Pi-rGOS 的可逆變形行為（底部）。(b)在多次潤濕測試期間，Janus 薄膜的長度和曲率與循環(huán)次數(shù)的關(guān)系圖。(c)GLS分別設(shè)置為陰極（藍(lán)色）和陽極（紅色）時(shí)，表觀接觸角隨電壓的變化，以及它們對(duì)應(yīng)的Cassie和Semi-Cassie接觸模型。
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